文章资讯-广东佑风微电子有限公司-第96页

P6SMB10CA SMB (YFW佑风微)替代SM6T10CA SMB(ST意法半导体)

P6SMB10CA SMB (YFW佑风微) 功率:600W，最高工作电压:8.55V，反向击穿电压:最小9.5V，最大10.5V,脉冲峰值电流IPP：42.1A;SM6T10CA SMB (ST意法半体导) 功率:600W，最高工作电压:8.55V，反向击穿电压:最小9.5V，最大10.5V,脉冲峰值电流IPP：41A

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P6SMB6.8A SMB (YFW佑风微)替代SM6T6V8A SMB(ST意法半导体)

P6SMB6.8A SMB (YFW佑风微) 功率:600W，最高工作电压:5.8V，反向击穿电压:最小6.45V，最大7.14V,脉冲峰值电流IPP：58.1A;SM6T6V8A SMB (ST意法半体导) 功率:600W，最高工作电压:5.8V，反向击穿电压:最小6.45V，最大7.14V,脉冲峰值电流IPP：57A

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P6SMB6.8CA SMB (YFW佑风微)替代SM6T6V8CA SMB(ST意法半导体)

P6SMB6.8CA SMB (YFW佑风微) 功率:600W，最高工作电压:6.4V，反向击穿电压:最小7.13V，最大7.88V,脉冲峰值电流IPP：58.1A;SM6T6V8CA SMB (ST意法半体导) 功率:600W，最高工作电压:6.4V，反向击穿电压:最小6.45V，最大7.14V,脉冲峰值电流IPP：57A

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P6SMB7.5A SMB (YFW佑风微)替代SM6T7V5A SMB(ST意法半导体)

P6SMB7.5A SMB (YFW佑风微) 功率:600W，最高工作电压:6.4V，反向击穿电压:最小6.45V，最大7.14V,脉冲峰值电流IPP：54A;SM6T7V5A SMB (ST意法半体导) 功率:600W，最高工作电压:6.4V，反向击穿电压:最小6.45V，最大7.14V,脉冲峰值电流IPP：53A

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MBR20100DC TO-263封装(YFW佑风微)替代MBRB20100CTG TO-263封装

MBR20100DC TO-263封装(YFW佑风微),最大平均正向整流电流:20A,最大反向重复峰值电压:100V,浪涌冲击电流：250A，正向压降:0.68V@125度 10A，最大反向电流：1.5UA，工作温度范围：-55~+150。MBRB20100CTG TO-263封装 , 最大平均正向整流电流:20A,最大反向重复峰值电压:100V,浪涌冲击电流：150A，正向压降:0.75V@125度 10A，最大反向电流：6.0mA，工作温度范围：-65~+175。

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MOSFET应用-功率损耗容易误解的三个要点

在MOSFET的数据手册中极限值表格中的总功率损耗Ptot就是一个十分有趣的参数。

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